品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC606P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1699pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2565pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@500mA,1.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5948DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:82mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R900P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4485DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@120µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: