品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:-12V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
栅极电荷:35nC@8V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:1490pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:22nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333-TP
功率:350mW
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:6A
导通电阻:150mΩ@500mA,1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
栅极电荷:35nC@8V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:6A
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:-12V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
栅极电荷:35nC@8V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:-12V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
栅极电荷:35nC@8V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@500mA,1.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
类型:P-Channel
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:-12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@500mA,1.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: