采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R660CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10500，"16+"：15500，"21+"：450，"9999"：483}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R660CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KNXC7G
功率：52W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KNXC7G
功率：52W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10500，"16+"：15500，"21+"：450，"9999"：483}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R660CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4443
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10500，"16+"：15500，"21+"：450，"9999"：483}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R660CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KNXC7G
功率：52W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KNXC7G
功率：52W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KNXC7G
功率：52W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
