采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5948DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：82mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7216DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：20.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7216DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：20.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7216DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：20.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7216DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：20.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
