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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6912A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV19XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS6P3LLH6 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STS6P3LLH6 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS6P3LLH6

    工作温度:150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4485DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4485DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4485DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD6N03R2G 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD6N03R2G 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4915}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD6N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.29W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8602M-TL-H 起订1283个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8602M-TL-H 起订1283个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8602M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K2HZGTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K2HZGTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K2HZGTB

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.1nC@5V

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7810 起订5000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7810 起订5000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7810

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:542pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4807 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4807 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4807

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7223DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:26.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K2HZGTB 起订35个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K2HZGTB 起订35个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K2HZGTB

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.1nC@5V

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K131TU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K131TU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS6P3LLH6 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STS6P3LLH6 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS6P3LLH6

    工作温度:150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6350-TL-W 起订5556个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6350-TL-W 起订5556个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6350-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K2HZGTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K2HZGTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K2HZGTB

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.1nC@5V

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4740,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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