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    连续漏极电流: 6A
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":127500}

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    输入电容:950pF@24V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K333R,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K333R,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K333R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.5V@100µA

    功率:1W

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    输入电容:436pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSN-7

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:6A

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSNQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSNQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV19XNEAR

    输入电容:1150pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:900mV@250µA

    功率:610mW€8.3W

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,4.5V

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20ENR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20ENR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20ENR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:10.8nC@10V

    输入电容:435pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:510mW€6.94W

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    栅极电荷:11.4nC@10V

    导通电阻:30mΩ

    功率:1.75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:6A

    输入电容:950pF@24V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV19XNEAR

    输入电容:1150pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:900mV@250µA

    功率:610mW€8.3W

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,4.5V

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    栅极电荷:11.4nC@10V

    导通电阻:30mΩ

    功率:1.75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSN-7

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSN-7

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSN-7

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:6A

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV19XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    导通电阻:30mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    导通电阻:30mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K131TU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K131TU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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