品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":127500}
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:950pF@24V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5A,10V
栅极电荷:3.4nC@4.5V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@100µA
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:436pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:6A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
栅极电荷:10.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:30mΩ@6A,10V
栅极电荷:10.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV19XNEAR
输入电容:1150pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:900mV@250µA
功率:610mW€8.3W
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,4.5V
栅极电荷:18.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20ENR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:21mΩ@6A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:10.8nC@10V
输入电容:435pF@15V
阈值电压:2V@250µA
功率:510mW€6.94W
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:11.4nC@10V
导通电阻:30mΩ
功率:1.75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:6A
输入电容:950pF@24V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV19XNEAR
输入电容:1150pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:900mV@250µA
功率:610mW€8.3W
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,4.5V
栅极电荷:18.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:11.4nC@10V
导通电阻:30mΩ
功率:1.75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:30mΩ@6A,10V
栅极电荷:10.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:30mΩ@6A,10V
栅极电荷:10.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:6A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
栅极电荷:10.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV19XNEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
导通电阻:30mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
导通电阻:30mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: