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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：1000pF@10V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
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类型：P沟道
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阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
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输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：5.7W
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
阈值电压：1.4V@250µA
功率：5.7W
类型：P沟道
输入电容：1000pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9P25YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：620mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9P25YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：620mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9P25YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：620mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5457DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
