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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：4007，"17+"：869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5026DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：28.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：4007，"17+"：869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5026DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：28.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2018
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"16+"：4007，"17+"：869}
规格型号(MPN)：RJK5026DPP-E0#T2
输入电容：440pF@25V
漏源电压：500V
工作温度：150℃
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
功率：28.5W
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1K2A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：740pF@300V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2018
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.11Ω@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2018
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2018
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2018
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：4007，"17+"：869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5026DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：28.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
