采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.4V@4mA
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.4V@4mA
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.4V@4mA
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
导通电阻：4mΩ@44A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：126A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：55nC@10V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：4250pF@40V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
导通电阻：4mΩ@44A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：126A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：55nC@10V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：4250pF@40V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
导通电阻：4mΩ@44A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：126A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：55nC@10V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：4250pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.4V@4mA
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
