品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700W(Tc)
阈值电压:5V @ 8mA
栅极电荷:195 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:12700 pF @ 25 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:65 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700W(Tc)
阈值电压:5V @ 8mA
栅极电荷:195 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:12700 pF @ 25 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:65 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700W(Tc)
阈值电压:5V @ 8mA
栅极电荷:195 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:12700 pF @ 25 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:65 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:291W(Tc)
阈值电压:4.3V @ 8mA
栅极电荷:105 nC @ 18 V
输入电容:1870 pF @ 325 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:291W(Tc)
阈值电压:4.3V @ 8mA
栅极电荷:105 nC @ 18 V
输入电容:1870 pF @ 325 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:323W(Tc)
阈值电压:2.6V @ 2mA
栅极电荷:137 nC @ 20 V
输入电容:1990 pF @ 1000 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700W(Tc)
阈值电压:5V @ 8mA
栅极电荷:195 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:12700 pF @ 25 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:65 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C
功率:306W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
栅极电荷:37.8 nC @ 15 V
输入电容:1400 pF @ 400 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700W(Tc)
阈值电压:5V @ 8mA
栅极电荷:195 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:12700 pF @ 25 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:65 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:306W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
栅极电荷:37.8 nC @ 15 V
输入电容:1400 pF @ 400 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C
功率:306W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
栅极电荷:37.8 nC @ 15 V
输入电容:1400 pF @ 400 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C
功率:306W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
栅极电荷:37.8 nC @ 15 V
输入电容:1400 pF @ 400 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:306W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
栅极电荷:37.8 nC @ 15 V
输入电容:1400 pF @ 400 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
栅极电荷:41 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:80V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
阈值电压:2.5V @ 120µA
输入电容:2940 pF @ 40 V
功率:57W(Tc)
导通电阻:7 毫欧 @ 21A,10V
连续漏极电流:66A(Tc)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:6V @ 10mA
栅极电荷:37.8 nC @ 15 V
功率:306W(Tc)
输入电容:1400 pF @ 400 V
导通电阻:29 毫欧 @ 40A,12V
漏源电压:750V
连续漏极电流:66A(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: