品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1651
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7670pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP075N15A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7670pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1651
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7670pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7670pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.8W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7670pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1407PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@78A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1407PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@78A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STL130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.8W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1407PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@78A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP075N15A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.8W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP075N15A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7670pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCB130N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:101.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6124.6pF@50V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.8W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.8W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: