品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD040N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":990,"18+":1800,"20+":7000,"MI+":59}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL8114PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N03-2M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:257nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12065pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":990,"18+":1800,"20+":7000,"MI+":59}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL8114PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N03S4L-02
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":990,"18+":1800,"20+":7000,"MI+":59}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL8114PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK624R5-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4707pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP90NF03L
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@45A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):30N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK624R5-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4707pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":34800,"MI+":1666}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK625R2-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3470pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N03S4L02ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50N03-06AP-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:10W€83W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":990,"18+":1800,"20+":7000,"MI+":59}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL8114PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):100N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):100N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":44,"16+":50,"17+":247,"18+":1301,"20+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3709PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2672pF@16V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP90NF03L
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@45A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD040N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR8314TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.2V@100µA
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4945pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: