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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N04S4L-04

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：60nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：62500，"MI+"：5000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB037N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：188W

阈值电压：2V

栅极电荷：98nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB037N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：188W

阈值电压：2V

栅极电荷：98nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N04S4-03

工作温度：-55℃~+175℃

功率：94W

阈值电压：2V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：2.7mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB037N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：188W

阈值电压：2V

栅极电荷：98nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

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连续漏极电流：90A

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漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：62500，"MI+"：5000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

栅极电荷：71nC@10V

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输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

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输入电容：5.2nF@30V

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类型：1个N沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB034N06L3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：79nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：2.7mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

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包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB037N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：188W

阈值电压：2V

栅极电荷：98nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

栅极电荷：71nC@10V

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连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

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包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

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输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

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包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"22+"：62500，"MI+"：5000}

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

包装方式：卷带（TR）

阈值电压：2.8V@95μA

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

连续漏极电流：90A

功率：3W€167W

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工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

栅极电荷：71nC@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

包装方式：Reel

阈值电压：1.1V

导通电阻：6.6mΩ

连续漏极电流：90A

功率：136W

栅极电荷：75nC

工作温度：-55℃~+175℃

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.5V@90μA

栅极电荷：68nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.91nF@50V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

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漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB034N06L3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：79nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：2.7mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD025N06NATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3W€167W

阈值电压：2.8V@95μA

栅极电荷：71nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.2nF@30V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5mΩ@90A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1