采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：8000}
规格型号(MPN)：N0439N-S19-AY
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
功率：1.8W€147W
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：102nC@10V
连续漏极电流：90A
工作温度：175℃
输入电容：5850pF@25V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
类型：N-Channel
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：17mΩ@30A，10V
功率：375W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
连续漏极电流：90A
阈值电压：4V@250µA
输入电容：4600pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
连续漏极电流：90A
阈值电压：4V@250µA
输入电容：4600pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VUK-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：102nC@10V
连续漏极电流：90A
功率：1.2W€147W
工作温度：175℃
输入电容：5850pF@25V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：2.8mΩ@45A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
连续漏极电流：90A
阈值电压：4V@250µA
输入电容：4600pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM90142E-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
栅极电荷：87nC@10V
导通电阻：15mΩ@30A，10V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：3120pF@100V
阈值电压：4V@250µA
功率：375W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N-Channel
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0439N-S19-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0439N-S19-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
