采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7085，"09+"：2310，"10+"：2500，"11+"：31427}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8472DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8472DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1.65A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8472DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
