采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：126000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4886
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：126000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4886
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.3A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
输入电容：450pF@50V
栅极电荷：7.3nC@10V
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：126000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
