采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：100，"05+"：181600，"08+"：346，"11+"：1000，"12+"：47030，"15+"：5000，"9999"：20，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：100，"05+"：181600，"08+"：346，"11+"：1000，"12+"：47030，"15+"：5000，"9999"：20，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
