品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
输入电容:2.712nF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
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功率:730mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
输入电容:2.712nF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
漏源电压:12V
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类型:1个P沟道
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连续漏极电流:9.5A
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导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
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