采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
