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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD62666E
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功率：2.5W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：AOSD62666E
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功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
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类型：2N沟道（双）
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
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功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：13.6nC@10V
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连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
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栅极电荷：13.6nC@10V
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输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
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功率：11W€900mW
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连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
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输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
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输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：2.5W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
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