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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
