品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP4435T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.539nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:151pF@15V
导通电阻:19mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
输入电容:2.712nF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
输入电容:2.712nF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
输入电容:2.712nF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:48.3nC@8V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:730mW
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
输入电容:2.712nF@10V
导通电阻:15.3mΩ@4.5V,4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP4435T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.539nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:151pF@15V
导通电阻:19mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP4435T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.539nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:151pF@15V
导通电阻:19mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8309-TL-H
导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:12V
栅极电荷:18nC@4.5V
功率:1.5W
连续漏极电流:9.5A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:1.78nF@6V
包装清单:商品主体 * 1
库存: