采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4435T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.539nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：151pF@15V
导通电阻：19mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
