品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
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输入电容:1287pF@25V
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类型:N沟道
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漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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功率:660mW
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规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
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功率:660mW
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
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功率:660mW
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功率:660mW
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阈值电压:3V@250µA
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阈值电压:3V@250µA
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功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
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规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
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类型:N沟道
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销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
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