品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC440N10NS3 G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:2.7V
栅极电荷:10.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5.3A
类型:MOSFET
导通电阻:44mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM9435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:845pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@15V
导通电阻:51mΩ@10V,5.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM9435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:845pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@15V
导通电阻:51mΩ@10V,5.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM9435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:845pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@15V
导通电阻:51mΩ@10V,5.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC440N10NS3 G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:2.7V
栅极电荷:10.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5.3A
类型:MOSFET
导通电阻:44mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC440N10NS3 G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:2.7V
栅极电荷:10.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5.3A
类型:MOSFET
导通电阻:44mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM9435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:845pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@15V
导通电阻:51mΩ@10V,5.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM9435
漏源电压:30V
导通电阻:51mΩ@10V,5.3A
输入电容:845pF@15V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
反向传输电容:80pF@15V
栅极电荷:22nC@10V
类型:1个P沟道
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):5000psc
规格型号(MPN):BSC440N10NS3 G
包装方式:Reel
导通电阻:44mΩ
阈值电压:2.7V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:10.8nC
漏源电压:100V
类型:MOSFET
功率:29W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC440N10NS3 G
包装方式:Reel
导通电阻:44mΩ
阈值电压:2.7V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:10.8nC
漏源电压:100V
类型:MOSFET
功率:29W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM9435
漏源电压:30V
导通电阻:51mΩ@10V,5.3A
输入电容:845pF@15V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
反向传输电容:80pF@15V
栅极电荷:22nC@10V
类型:1个P沟道
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP9435LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:644pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@15V
导通电阻:50mΩ@10V,5.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@10V,7.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@10V,7.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@10V,7.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@10V,7.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: