品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP8N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4019H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:4.9V@50µA
包装方式:管件
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1951,"14+":6148,"15+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R420CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840BPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":650}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4007-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:680mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R420CFD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83.3W
阈值电压:4V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.7A
类型:MOSFET
导通电阻:420mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":10500,"9999":445}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI65R420CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":333}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R420CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP8N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":10500,"9999":445}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI65R420CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":392,"22+":765,"9999":460}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R420CFDXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:31.2W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":25279,"17+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPSA70R950CEAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":26,"20+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R420CFDBTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: