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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：307000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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类型：N沟道
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漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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类型：N沟道
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漏源电压：8V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3000，"10+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
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输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3000，"10+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTAG
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漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
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栅极电荷：15nC@4.5V
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连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：307000}
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规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
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功率：700mW
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTAG
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功率：700mW
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连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
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功率：700mW
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
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输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
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连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
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功率：740mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1053UCP4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.34W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
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输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1053UCP4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.34W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
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类型：N沟道
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漏源电压：12V
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库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1053UCP4-7
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类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
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库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1053UCP4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.34W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
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栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
输入电容：908pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
功率：740mW
栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
输入电容：908pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
