品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4228PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4228PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4228PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4228PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4228PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ606-ZK-E1-AY
功率:120W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
输入电容:4.8nF@10V
连续漏极电流:83A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ@42A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€150W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@41.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:2V
栅极电荷:41nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:83A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA030N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:41W
阈值电压:3V
栅极电荷:154nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:83A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3G-ES
功率:100W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28.5nC@10V
输入电容:1.895nF@50V
连续漏极电流:83A
反向传输电容:12pF@50V
导通电阻:7.1mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: