采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
功率：155W
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
类型：N沟道
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
栅极电荷：98nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
