采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€53W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1016pF@30V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：900，"22+"：88398，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：900，"22+"：88398，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1000}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.1nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€53W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1016pF@30V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€53W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1016pF@30V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€53W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1016pF@30V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€53W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1016pF@30V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€53W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1016pF@30V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
