采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4H+"：2365}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2165N-EL-E
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
输入电容：5.18nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：18857，"MI+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0329DPB-01#J0
功率：60W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：5.33nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：18857，"MI+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0329DPB-01#J0
功率：60W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：5.33nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4H+"：2365}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2165N-EL-E
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
输入电容：5.18nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4H+"：2365}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2165N-EL-E
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
输入电容：5.18nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：18857，"MI+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0329DPB-01#J0
功率：60W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：5.33nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4H+"：2365}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2165N-EL-E
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
输入电容：5.18nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：149}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：18857，"MI+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0329DPB-01#J0
功率：60W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：5.33nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03EPQ56 RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：8mΩ@16A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：55A
输入电容：750pF@25V
栅极电荷：7.5nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：54W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
