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品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSF7002AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KTB_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：2N7002KW_R1_00001
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规格型号(MPN)：GSF7002AT
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功率：150mW
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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功率：200mW
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导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
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功率：200mW
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输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：0.8nC@4.5V
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输入电容：35pF@25V
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类型：N沟道
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功率：150mW
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功率：200mW
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类型：N沟道
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功率：200mW
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输入电容：35pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：2N7002KW_R1_00001
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功率：200mW
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栅极电荷：0.8nC@4.5V
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输入电容：35pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
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