采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：180pC@10V
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：180pC@10V
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB3077
功率：270W
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
反向传输电容：810pF@25V
功率：270W
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：13.2nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
栅极电荷：275nC@10V
阈值电压：2.4V@250μA
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：15.78nF@20V
功率：375W
导通电阻：990mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：180pC@10V
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：3.4V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：7.93nF@50V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ200N10T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：550W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9.4nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.3nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：72pF@20V
导通电阻：1.2mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：180pC@10V
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：180pC@10V
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：180pC@10V
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：3.4V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：7.93nF@50V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
输入电容：4.3nF@20V
栅极电荷：32nC@4.5V
反向传输电容：72pF@20V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
导通电阻：1.2mΩ@10V，50A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.966nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：3.4V@250μA
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
输入电容：7.93nF@50V
漏源电压：100V
栅极电荷：98nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
