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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：43.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：81000，"22+"：122500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：81000，"22+"：122500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
