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    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订24个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订24个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4105TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4105TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4105TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:837pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7820TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7820TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7820TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@100V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3932DV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3932DV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3932DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN52XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订33个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订33个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3932DV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3932DV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3932DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1023PZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1023PZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1023PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:72mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR802NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@30µA

    栅极电荷:4.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1447pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@3.7A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1023PZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1023PZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1023PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:72mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订9000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订9000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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