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    连续漏极电流: 3.7A
    行业应用: 工业
    类型: P沟道
    当前匹配商品:300+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订24个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订24个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN52XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订33个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订33个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订9000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订9000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订29个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订29个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订15000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订15000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF5P03T3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF5P03T3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF5P03T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF5P03T3G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF5P03T3G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF5P03T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN52XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN52XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP650P06NMXTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP650P06NMXTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP650P06NMXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€4.2W

    阈值电压:4V@1.037mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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