品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R2K1CE
功率:5W
阈值电压:3.5V@60μA
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1Ω@10V,800mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3003-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11.6nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:64pF@15V
导通电阻:33mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR802N L6327
功率:500mW
阈值电压:750mV@30μA
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@2.5V,3.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3003-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11.6nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:64pF@15V
导通电阻:33mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3003-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11.6nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:64pF@15V
导通电阻:33mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3003-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11.6nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:64pF@15V
导通电阻:33mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R2K1CE
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:3.5V@60μA
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
功率:5W
导通电阻:2.1Ω@10V,800mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R2K1CE
功率:5W
阈值电压:3.5V@60μA
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1Ω@10V,800mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV40UN2R
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV40UN2R
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
栅极电荷:12nC@4.5V
功率:490mW
连续漏极电流:3.7A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:635pF@15V
ECCN:EAR99
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
包装清单:商品主体 * 1
库存: