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    连续漏极电流: 3.7A
    类型: 1个N沟道
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    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CE 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CE 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R2K1CE

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@60μA

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1Ω@10V,800mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3003-3/TR 起订3000个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3003-3/TR 起订3000个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3003-3/TR

    功率:700mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:64pF@15V

    导通电阻:33mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802N L6327 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802N L6327 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR802N L6327

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@30μA

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@2.5V,3.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3003-3/TR 起订1500个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3003-3/TR 起订1500个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3003-3/TR

    功率:700mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:64pF@15V

    导通电阻:33mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3003-3/TR 起订42个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3003-3/TR 起订42个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3003-3/TR

    功率:700mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:64pF@15V

    导通电阻:33mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3003-3/TR 起订200个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM3003-3/TR 起订200个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM3003-3/TR

    功率:700mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:64pF@15V

    导通电阻:33mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CE 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CE 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R2K1CE

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:3.5V@60μA

    类型:1个N沟道

    漏源电压:600V

    功率:5W

    导通电阻:2.1Ω@10V,800mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CE 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CE 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R2K1CE

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@60μA

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1Ω@10V,800mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订150000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订150000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数75000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数75000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订150000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订150000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    阈值电压:900mV@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:12nC@4.5V

    功率:490mW

    连续漏极电流:3.7A

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:635pF@15V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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