采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：3V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：54pF@30V
导通电阻：54mΩ@10V，3.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402
阈值电压：1.2V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：3V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：54pF@30V
导通电阻：54mΩ@10V，3.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：3V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：54pF@30V
导通电阻：54mΩ@10V，3.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：3V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：54pF@30V
导通电阻：54mΩ@10V，3.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402
阈值电压：1.2V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402
阈值电压：1.2V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402
阈值电压：1.2V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6402
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6402
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：19nC@4.5V
连续漏极电流：3.7A
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.02nF@10V
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
功率：750mW
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
