采购热线 400-661-9010
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R070CFD7
功率：156W
阈值电压：4.5V@760μA
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，15.1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R070CFD7
功率：156W
阈值电压：4.5V@760μA
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，15.1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CP
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，18A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CP
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，18A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
类型：1个N沟道
连续漏极电流：31A
输入电容：1.5nF@100V
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
阈值电压：6V@10mA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
栅极电荷：51nC@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP31N50LPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5nF@25V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@19A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099P7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：117W
阈值电压：4V@530μA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.952nF@400V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@10.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2V@21μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@40V
导通电阻：12.2mΩ@10V，5A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2V@21μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@40V
导通电阻：12.2mΩ@10V，5A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2V@21μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@40V
导通电阻：12.2mΩ@10V，5A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099P7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：117W
阈值电压：4V@530μA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.952nF@400V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@10.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099P7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：117W
阈值电压：4V@530μA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.952nF@400V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@10.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099P7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：117W
阈值电压：4V@530μA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.952nF@400V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@10.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
类型：1个N沟道
连续漏极电流：31A
输入电容：1.5nF@100V
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
阈值电压：6V@10mA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
栅极电荷：51nC@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099P7ATMA1
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
功率：117W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：31A
漏源电压：650V
输入电容：1.952nF@400V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：99mΩ@10.5A，10V
阈值电压：4V@530μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
