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    连续漏极电流: 9.7A
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:90+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03R 起订605个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03R 起订605个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2917}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€74.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4468LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.68W

    阈值电压:1.95V@250µA

    栅极电荷:18.85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4427BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@12.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

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    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4468LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.68W

    阈值电压:1.95V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.85nC@10V

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    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4427BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@12.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

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    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03R 起订605个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03R 起订605个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€74.4W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4468LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.68W

    阈值电压:1.95V@250µA

    栅极电荷:18.85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z20PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4468LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.68W

    阈值电压:1.95V@250µA

    栅极电荷:18.85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4468LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.68W

    阈值电压:1.95V@250µA

    栅极电荷:18.85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03RG 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03RG 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":300,"08+":3712}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03RG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€74.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订11个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4419 起订11个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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