品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2917}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4468LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.68W
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输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4427BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@12.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
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连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4468LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.68W
阈值电压:1.95V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4427BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@12.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
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连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4468LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.68W
阈值电压:1.95V@250µA
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连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4468LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.68W
阈值电压:1.95V@250µA
栅极电荷:18.85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4468LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.68W
阈值电压:1.95V@250µA
栅极电荷:18.85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":300,"08+":3712}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03RG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: