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    连续漏极电流: 9.7A
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:7
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:39nC@4.5V

    输入电容:2.23nF@6V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数500个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数500个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:39nC@4.5V

    输入电容:2.23nF@6V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数10个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数10个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:39nC@4.5V

    输入电容:2.23nF@6V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:39nC@4.5V

    输入电容:2.23nF@6V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数10个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数10个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:900mV@250μA

    连续漏极电流:9.7A

    输入电容:2.23nF@6V

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V

    类型:1个P沟道

    功率:1.9W€12.5W

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订数500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4468LK3-13 起订数500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.68W

    阈值电压:1.95V@250μA

    栅极电荷:18.85nC@10V

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@10V,11.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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