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    连续漏极电流: 32A
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2568pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTX32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订5个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订5个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTX32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTX32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@16A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTX32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2568pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX32P60P 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTX32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2568pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTK32P60P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK32P60P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN32P60P

    连续漏极电流:32A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:11100pF@25V

    栅极电荷:196nC@10V

    类型:P沟道

    包装方式:管件

    导通电阻:350mΩ@500mA,10V

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    连续漏极电流:32A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2568pF@100V

    功率:250W

    类型:N沟道

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    连续漏极电流:32A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2568pF@100V

    功率:250W

    类型:N沟道

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR48N60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR48N60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR48N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:8860pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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