采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3175}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX32N100Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1250W
阈值电压：6.5V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9940pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R075CFD7AXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@820µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3288pF@400V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP35N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2568pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120K-A
工作温度：-40℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1390pF@1000V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP32N50KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5280pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP32N50KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5280pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK32N80Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6940pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@16A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK32N80Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6940pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@16A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK32N80Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6940pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@16A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：552pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN034-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1201pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R075CFD7AXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@820µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3288pF@400V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW32N50C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：284W
阈值电压：3.9V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：279，"9999"：540}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30EL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：552pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB35N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2760pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@17A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP32N50KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5280pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP32N50KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5280pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R075CFD7AXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@820µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3288pF@400V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N65M2
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2355pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N65M2
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2355pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP32N50KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5280pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN034-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1201pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：900，"12+"：4200，"13+"：9224，"9999"：1476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW32N50C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：284W
阈值电压：3.9V@1.8mA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：552pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40N65M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2355pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
