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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V
栅极电荷：35nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：29A
类型：MOSFET
导通电阻：102mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
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规格型号(MPN)：SIHG105N60EF-GE3
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功率：208W
阈值电压：5V
栅极电荷：35nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：29A
类型：MOSFET
导通电阻：102mΩ
漏源电压：600V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：SIHP105N60EF-GE3
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功率：208W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
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类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SIHP105N60EF-GE3
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功率：208W
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V
栅极电荷：35nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：29A
类型：MOSFET
导通电阻：102mΩ
漏源电压：600V
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连续漏极电流：29A
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包装方式：管件
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V
栅极电荷：35nC
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连续漏极电流：29A
类型：MOSFET
导通电阻：102mΩ
漏源电压：600V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3
连续漏极电流：29A
包装方式：Reel
导通电阻：102mΩ
功率：208W
栅极电荷：35nC
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：5V
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类型：MOSFET
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规格型号(MPN)：SIHG105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V
栅极电荷：35nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：29A
类型：MOSFET
导通电阻：102mΩ
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V
栅极电荷：35nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：29A
类型：MOSFET
导通电阻：102mΩ
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V
栅极电荷：35nC
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连续漏极电流：29A
类型：MOSFET
导通电阻：102mΩ
漏源电压：600V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3
连续漏极电流：29A
包装方式：Reel
导通电阻：102mΩ
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工作温度：-55℃~+150℃
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类型：MOSFET
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