品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:218nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60061EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:218nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9600pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:218nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:218nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60020E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2V
栅极电荷:151.2nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:2.8mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM50010E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:1.75mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM50010E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:1.75mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: