品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP12N70X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP12N70X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP12N70X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT12N150
阈值电压:4.5V@250µA
导通电阻:2Ω@6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:106nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:1500V
包装方式:管件
功率:890W
输入电容:3720pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N50
漏源电压:500V
阈值电压:4.5V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
导通电阻:520mΩ@6A,10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60L
阈值电压:4.5V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
连续漏极电流:12A
功率:50W
输入电容:2100pF@25V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60L
阈值电压:4.5V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
连续漏极电流:12A
功率:50W
输入电容:2100pF@25V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT12N150
阈值电压:4.5V@250µA
导通电阻:2Ω@6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:106nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:1500V
包装方式:管件
功率:890W
输入电容:3720pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH12N70X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: