采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3ENX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：914pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7S
功率：53W
阈值电压：4V@190μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60
功率：50W
阈值电压：4.5V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSG
功率：2.1W
阈值电压：2V@14μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.7mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1807GR-9JG-E1-A
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSG
功率：2.1W
阈值电压：2V@14μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.7mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N04LSG
功率：2.1W
阈值电压：2V@14μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.7mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6012JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：7V@2.5mA
栅极电荷：28nC@15V
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@6A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.335nF@75V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@75V
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60
功率：50W
阈值电压：4.5V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020YNXC7G
功率：62W
阈值电压：6V@1.65mA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3ENX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：914pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7S
功率：53W
阈值电压：4V@190μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60
功率：50W
阈值电压：4.5V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3G
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@23μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60
功率：50W
阈值电压：4.5V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2012
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.255nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRFL12N65
功率：51W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：710mΩ@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
