采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1600，"16+"：1180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.2nF@20V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：140mΩ@10V，7.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P06S
阈值电压：3.5V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P06S
阈值电压：3.5V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G300P06S
阈值电压：3V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.2nF@20V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P06S
阈值电压：3.5V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G300P06S
阈值电压：3V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1600，"16+"：1180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.2nF@20V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z34GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@7.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P06S
阈值电压：3.5V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P06S
阈值电压：3.5V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：1600，"16+"：1180}
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
输入电容：2.2nF@20V
栅极电荷：45nC@10V
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
导通电阻：60mΩ@6A，10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1600，"16+"：1180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.2nF@20V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P06S
阈值电压：3.5V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G300P06S
阈值电压：3V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
