销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4566
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11.9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4566
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3G
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@23μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: