品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32.5nC@10V
输入电容:1.82nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.6pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,6A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32.5nC@10V
输入电容:1.82nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.6pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,6A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32.5nC@10V
输入电容:1.82nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.6pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,6A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32.5nC@10V
输入电容:1.82nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.6pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,6A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@10V,7.2A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@10V,7.2A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
输入电容:2.29nF@25V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:63nC@10V
漏源电压:600V
功率:225W
导通电阻:650mΩ@6A,10V
连续漏极电流:12A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
导通电阻:500mΩ@10V,7.2A
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: